圖1.IMM四結太陽(yáng)電池J-V曲線(xiàn)和結構示意圖
圖2.IMM四結太陽(yáng)電池EQE曲線(xiàn)和不同注入電流EL發(fā)射曲線(xiàn)
圖3.通過(guò)EL和EQE光電互易原理計算的子電池J-V特性曲線(xiàn)
研究人員在基于兩步鍵合轉移方法制備的33.13%的倒置三結GaInP/GaAs/InGaAs(J. Cryst. Growth 2019, 513: 38)柔性太陽(yáng)電池的基礎上，經(jīng)過(guò)多年積累，提出電鍍與低溫鍵合相結合的外延薄膜轉移方案，優(yōu)化了柔性高效太陽(yáng)電池的制備工藝，批量能力強、良品率高、電池更輕柔。采用該技術(shù)制備的柔性高效三結太陽(yáng)電池，光電轉換效率達到34.68%，重量面密度僅有169 g/m2。該技術(shù)已申請國家發(fā)明專(zhuān)利，并通過(guò)PCT國際專(zhuān)利進(jìn)入美國、日本、歐盟等。
在柔性四結太陽(yáng)電池的研究中，研究人員針對倒置直接生長(cháng)的AlGaInP/AlGaAs/InGaAs/InGaAs四結太陽(yáng)電池存在的低短路電流密度但J-V曲線(xiàn)形狀正常的這一關(guān)鍵問(wèn)題，進(jìn)行了四結電池的失效分析研究。結果顯示，AlGaInP頂電池是導致電流密度降低的主要原因。較低外量子效率表明，AlGaInP材料的少數載流子無(wú)法有效收集，導致短路電流密度降低;二次離子質(zhì)譜(SIMS)結果表明，失效的電池主要是由于在A(yíng)lGaInP材料生長(cháng)過(guò)程中引入了較高濃度的氧，易形成Al-O深能級缺陷。通過(guò)優(yōu)化AlGaInP子電池材料的生長(cháng)，在前期25%(未鍍反射膜)的光電轉換效率基礎上(Sol. Energy. Mat. Sol. Cell 2020, 208: 110398)，進(jìn)一步獲得效率為34.9%、開(kāi)路電壓為3.53V的四結太陽(yáng)電池。相關(guān)研究成果以Failure Analysis of Thin Film Four-Junction Inverted Metamorphic Solar Cells為題，在線(xiàn)發(fā)表在Prog. Photovolt. Res. Appl.上。
針對多結疊層太陽(yáng)電池子電池特性無(wú)法直接測量的難點(diǎn)，研究人員采用外量子效率(EQE)和電致發(fā)光譜(EL)的光電互易原理，計算分析各子電池光電特性，實(shí)現了針對性地指導多結太陽(yáng)電池的優(yōu)化設計。相關(guān)研究成果以Subcells Analysis of Thin Film Four-Junction Solar Cells Using Optoelectronic Reciprocity Relation為題，發(fā)表在Sol. RRL上。
上述論文的主要作者為蘇州納米所在讀博士研究生龍軍華等，陸書(shū)龍為論文通訊作者。研究工作得到國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)和面上項目、國家重點(diǎn)研發(fā)計劃課題、企業(yè)合作以及所自有資金項目等的支持。
