研究負責人Clara Rittmann表示："關(guān)鍵發(fā)現是EpiWafers無(wú)需預吸雜步驟即可直接用于電池制造，當電池設計包含原位吸雜工藝時(shí)，n型和p型層能有效發(fā)揮吸雜作用。"團隊測試顯示，1.3 Ωcm外延晶圓的載流子壽命從初始100μs提升至1ms以上，性能參數與浮區晶圓相當。
該研究采用德國NexWafe公司的外延生長(cháng)硅晶圓，結合TOPCon2層原位吸雜技術(shù)，預計可制造轉換效率超30%的鈣鈦礦硅疊層太陽(yáng)能電池。Rittmann強調，這一概念驗證與工業(yè)化實(shí)現的結合"前景廣闊"。目前弗勞恩霍夫ISE高效太陽(yáng)能電池中心正基于該研究進(jìn)行底部太陽(yáng)能電池的制造開(kāi)發(fā)。
