臺積電美國第3晶圓廠(chǎng)今年中動(dòng)工

2025-02-18 09:51  瀏覽:  

2月17日消息,臺積電在美國亞利桑那州的行程中,董事長(cháng)魏哲家與美國子公司TSMC Arizona的管理層進(jìn)行了內部會(huì )議,并作出多項決策。其中,關(guān)于先進(jìn)制程,臺積電計劃在菲尼克斯的第三晶圓廠(chǎng)Fab 21 p于今年年中啟動(dòng)建設。該工廠(chǎng)將采用2nm和A16節點(diǎn)制程,原定于本十年末投產(chǎn),但目前計劃可能提前至2027年初試產(chǎn)、2028年量產(chǎn)。同時(shí),臺積電計劃邀請美國政府重要官員參加Fab 21 p的動(dòng)土儀式。

在先進(jìn)封裝方面,臺積電考慮在美國建立CoWoS封裝廠(chǎng),以滿(mǎn)足AI GPU對先進(jìn)封裝產(chǎn)能的需求,實(shí)現從芯片制造到成品封裝的本土化生產(chǎn)。值得注意的是,臺積電的合作伙伴安靠已宣布建設與TSMC Arizona配套的高級封測產(chǎn)能,而競爭對手三星電子在《CHIPS》法案的補貼協(xié)議中則沒(méi)有涉及先進(jìn)封裝的內容。

從臺積電供應鏈的消息來(lái)看,將提供3nm產(chǎn)能的TSMC Arizona第二晶圓廠(chǎng)已完成主體建筑,正在進(jìn)行內部無(wú)塵室和機電整合,預計2026年第一季度末開(kāi)始安裝工藝設備。根據時(shí)間表,第二晶圓廠(chǎng)有望在2026年底進(jìn)行試產(chǎn),2027年下半年實(shí)現量產(chǎn),比之前公布的2028年投產(chǎn)時(shí)間提前。

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