1月2日，商務(wù)部發(fā)布公告，根據《中華人民共和國出口管制法》和《中華人民共和國兩用物項出口管制條例》等法律法規有關(guān)規定，為維護國家安全和利益，履行防擴散等國際義務(wù)，決定將通用動(dòng)力公司等28家美國實(shí)體列入出口管制管控名單，并采取以下措施：
一、禁止向上述28家美國實(shí)體出口兩用物項;正在開(kāi)展的相關(guān)出口活動(dòng)應當立即停止。
二、特殊情況下確需出口的，出口經(jīng)營(yíng)者應當向商務(wù)部提出申請。
該公告自公布之日起正式實(shí)施。
在此次商務(wù)部公布的出口管制名單中有一家半導體公司，那就是英特磊公司。據悉，英特磊科技股份有限公司于2011年4月26日在開(kāi)曼群島設立，營(yíng)運主體位于美國得州，是全球磷化銦、銻化鎵磊芯片代工領(lǐng)導廠(chǎng)商，采用MBE技術(shù)從事砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產(chǎn)，具有基板到磊晶的垂直整合技術(shù)能力，提供無(wú)線(xiàn)通訊、衛星通訊、光纖通訊等商業(yè)，以及太空與國防上的紅外線(xiàn)感測、夜視、攝影等產(chǎn)品應用。
磊晶是一種用于半導體器件制造過(guò)程中，在原有晶片上長(cháng)出新結晶，以制成新半導體層的技術(shù)。此技術(shù)又稱(chēng)磊晶成長(cháng)，可用以制造硅晶體管到CMOS集成電路等各種元件，在制作化合物半導體例如砷化鎵時(shí)，磊晶尤其重要;砷化鎵是一種重要的半導體材料，屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏;磷化銦是一種無(wú)機化合物，主要用作半導體材料，用于光纖通訊技術(shù)。
2017年光器件市場(chǎng)份額前三的廠(chǎng)商分別為Finisar、Lumemtum和Oclaro。其中，Finisar與英特磊在光通訊應用磷化銦PIN、APD產(chǎn)品合作密切，英特磊會(huì )為Finisar的VCSEL訂單代工。當時(shí)任英特磊科技代理發(fā)言人范振隆曾表示公司獲得的訂單主要供應中國手機品牌廠(chǎng)。
2021年，英特磊董事長(cháng)高永中表示針對5G需求所開(kāi)發(fā)的GaN產(chǎn)品，2022年開(kāi)始正式量產(chǎn)并貢獻營(yíng)收，客戶(hù)對外延(Epi)品質(zhì)反應良好。目前主要的服務(wù)偏重于高摻雜GaN二次生長(cháng)，應用的是與國防、高端衛星通訊、5G相關(guān)的GaN HEMT外延片。
2023年，英特磊因生產(chǎn)基地大宗聚焦美國本土，宣布將申請美國《芯片與科學(xué)法案》補貼，并用來(lái)擴廠(chǎng)增效。2024年4月，英特磊宣布已成功獲得德克薩斯州芯片法案提供的410萬(wàn)美元資金補助。這筆資金將直接助力公司在德州的擴廠(chǎng)計劃，主要會(huì )用于支持德州二廠(chǎng)的擴建項目，預計將于2025年1月動(dòng)工，包括增加生產(chǎn)設備、優(yōu)化生產(chǎn)流程以及提升倉儲能力等，預計能夠顯著(zhù)提升公司的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。此外，英特磊透露，美國聯(lián)邦芯片法案的補助申請已進(jìn)入實(shí)質(zhì)審查階段，目前進(jìn)度順利。
隨著(zhù)AI市場(chǎng)的持續增長(cháng)，英特磊主要產(chǎn)品磷化銦的需求有望提升，而銻化鎵則在國防產(chǎn)品上的訂單量增長(cháng)迅速。高永中預計未來(lái)公司營(yíng)運成長(cháng)將達到20%至30%。
