Onsemi 發(fā)布了升級版系列電源模塊，以促進(jìn)公用事業(yè)規模的太陽(yáng)能發(fā)電和存儲。
新產(chǎn)品線(xiàn)采用 F5BP 封裝中的硅和碳化硅混合功率集成模塊 (PIM) 組成，可與太陽(yáng)能串式逆變器或儲能系統 (ESS) 應用集成。
該公司在一份聲明中表示：“F5BP-PIM 與 1050V FS7 IGBT 和 1200V D3 EliteSiC 二極管集成在一起，形成了一個(gè)基礎，有助于實(shí)現高壓和大電流功率轉換，同時(shí)降低功耗并提高可靠性。”“FS7 IGBT 具有低關(guān)斷損耗，可將開(kāi)關(guān)損耗降低高達 8%，而 EliteSiC 二極管與前幾代產(chǎn)品相比，具有出色的開(kāi)關(guān)性能，電壓閃爍降低了 15%。”
PIM 采用 I 型中性點(diǎn)鉗位 (INPC) 設計(用于逆變器模塊)和飛跨電容器拓撲(用于升壓模塊)。它們還具有優(yōu)化的電氣布局和先進(jìn)的直接粘合銅 (DBC) 基板，可降低雜散電感和熱阻，從而提高性能。
Onsemi 補充道：“銅基板進(jìn)一步降低了散熱器的熱阻 9.3%，確保模塊在高運行負荷下保持冷卻。這種熱管理對于保持模塊的效率和壽命至關(guān)重要，使其在需要可靠和持續供電的苛刻應用中非常有效。”
這些模塊在開(kāi)關(guān)條件下的工作溫度范圍為 -40 C 至 150 C，存儲時(shí)可承受高達 125 C 的溫度。每個(gè)模塊重 245 克，采用焊針，不含鉛 (Pb) 和鹵化物，與早期型號相比，功率密度和效率更高。這一改進(jìn)使太陽(yáng)能逆變器系統的功率在相同的占地面積內從 300 kW 增加到 350 kW。
該公司表示：“這意味著(zhù)，使用最新一代模塊的 1 千兆瓦 (GW) 容量公用事業(yè)規模太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)每小時(shí)可節省近 2 兆瓦的能源，相當于每年為 700 多戶(hù)家庭供電。此外，與上一代產(chǎn)品相比，實(shí)現相同功率閾值所需的模塊更少，這可以將電力設備組件成本降低 25% 以上。”
