最近光伏逆變器緊缺，已經(jīng)嚴重影響行業(yè)出貨和發(fā)展。
在光伏系統中，逆變器的性能可以影響整個(gè)光伏系統的平穩性、發(fā)電效率和使用年限。而在逆變電路中，都需使用IGBT等具有開(kāi)關(guān)特性的半導體功率器件，控制各個(gè)功率器件輪流導通和關(guān)斷，再經(jīng)由變壓器藕合升壓或降壓，最終實(shí)現直流轉交流的轉換。因此，IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為光伏逆變器的核心元器件，在光伏等領(lǐng)域的應用極為廣泛。
車(chē)規IGBT優(yōu)勢顯著(zhù) 光伏市場(chǎng)全面發(fā)力
比亞迪半導體憑借在車(chē)規級IGBT領(lǐng)域近二十年的技術(shù)沉淀，針對光伏逆變IGBT也進(jìn)行前瞻布局和大力開(kāi)發(fā)。自2013年參與比亞迪集團太陽(yáng)能光伏逆變模塊項目，至今已與業(yè)內多家知名企業(yè)合作開(kāi)發(fā)光伏逆變模塊并成功應用，期間積累了豐富的光伏逆變IGBT模塊開(kāi)發(fā)經(jīng)驗。
比亞迪半導體全面布局及開(kāi)拓光伏市場(chǎng) ，于2021年成功開(kāi)發(fā)出T型拓撲結構BG80T12G10S5模塊和I型拓撲結構模塊BG150I07N10H5模塊。
該兩款I(lǐng)GBT模塊采用光伏逆變市場(chǎng)的典型應用拓撲，模塊結構緊湊、性能高效，適用于各類(lèi)光伏逆變器，如光伏逆變和儲能等。與行業(yè)同類(lèi)產(chǎn)品相比，溫升更低、可靠性更高。
BG80T12G10S5模塊實(shí)拍圖
BG80T12G10S5模塊拓撲結構圖
BG150I07N10H5模塊實(shí)拍圖
BG150I07N10H5模塊拓撲結構圖
針對不同的應用領(lǐng)域，IGBT也展現出不同的技術(shù)特點(diǎn)。光伏IGBT對于可靠性的要求非常高，新能源發(fā)電輸出的電能需要通過(guò)光伏逆變器將整流后的直流電逆變?yōu)榉想娋W(wǎng)要求的交流電后輸入電網(wǎng)，這種線(xiàn)路需要將IGBT模塊性能用到極致，所以對IGBT芯片也提出了更高的可靠性要求。
比亞迪半導體T型拓撲結構BG80T12G10S5模塊和I型拓撲結構模塊BG150I07N10H5，主要有以下特性：
產(chǎn) 品 特 性
1、結構緊湊，封裝體積小
2、采用DBC工藝
3、采用比亞迪半導體IGBT5.0技術(shù)的低損耗IGBT
4、低寄生電感設計
5、耐沖擊能力
6、Pin針工藝
光伏逆變IGBT模塊參數
據介紹，為形成完善的產(chǎn)業(yè)鏈布局，構建自主可控的技術(shù)基礎，比亞迪半導體于 2005 年組建 IGBT 團隊，于2007 年組建 IGBT 模塊生產(chǎn)線(xiàn)，經(jīng)過(guò)近二十年的技術(shù)積累和應用實(shí)踐，比亞迪半導體IGBT 芯片設計能力、 晶圓制造工藝和模塊封裝技術(shù)持續迭代升級，被廣泛應用于新能源汽車(chē)、光伏、工控等領(lǐng)域。
基于對下游應用需求的深刻理解和在相關(guān)領(lǐng)域深厚的技術(shù)積累，公司還先后開(kāi)發(fā)了IGBT、IPM、 SiC 器件等功率半導體產(chǎn)品，多個(gè)產(chǎn)品性能指標達到行業(yè)領(lǐng)先水平。
比亞迪半導體IGBT 已經(jīng)歷多次技術(shù)迭代升級，在減小模塊尺寸、提高輸出功率、降低功率損失方面將持續不斷優(yōu)化。
